半導體封裝時,第一步需將晶圓進行背面減薄加工,減薄厚的晶圓再進行切割及灌膠等作業。減薄時鑽石砂輪密需保證在粗精磨時保持穩定的研磨速率和表面加工質量,以保證晶圓厚度一致性,從而確保高的封裝良率。

 

用途:硅晶圓和半導體化合物晶圓的背面減薄加工。

 

特點:

  1. 獨特的結合劑設計保證及製作工藝穩定的切削速度。
  2. 良好的自銳性降低研磨阻力,降低破片風險。
  3. 精確的鑽石分級和生產控制嚴格的保證減薄後晶圓的表面質量的穩定性。
  4. 通過當地化生產,我們可以提供高性價比的產品。

 

粒度

D(mm)

W(mm)

X(mm)

H(mm)

#325

(D54/80)

|

#8000

(D2/4)

Ø200

|

Ø400

2~5

5

155

158

190

235

 

亦可依據客人提供資料、圖面等資訊進行客製。